一个高智能化的物联网枢纽--物联网网关

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联网在充放电过程中硫的体积膨胀效应(~80％)导致硫从主体材料中分离和电极粉碎。在1C的电流密度循环300次后，枢纽面积容量仍接近1.6mAhcm-2。

【成果简介】近日，物联网网大连理工大学教育部长江学者团队贺高红教授、物联网网李祥村副教授、联合美国德克萨斯大学奥斯汀分校余桂华教授（共同通讯作者）报道了一种通过简便的相转化方法合成的具有可放大制备且柔性的三层结构多C/SiO2膜。此外，高智关作为氧化还原中间体形成的可溶性多硫化物（Li2Sx，4x≤8）的穿梭效应现象使得库仑效率低并且腐蚀锂金属负极，从而导致快速的容量衰减。例如设计各种载硫材料、联网修饰中间层和改进电解液等。

此外，枢纽嵌入的极性纳米SiO2颗粒对LiPS具有很强的化学吸附能力，有效地消除了穿梭效应。物联网网相关研究成果Triple-LayeredCarbon-SiO2 CompositeMembraneforHighEnergyDensityandLongCyclingLi-SBatteries为题发表在ACSNano上。

【图文导读】图一C/SiO2膜电极的制备过程以及相应的形貌表征（a）不对称多孔PAN和PAN/SiO2膜的三元相图及其碳化成C和C/SiO2正极（b）DMF与非溶剂（去离子水）之间的溶剂交换，高智关用于膜固化和孔形成（c，高智关d）PAN/SiO2膜及其碳化成C/SiO2柔性电极的光学照片（e）C/SiO2复合物的横截面SEM图像（h）S沉积在C/SiO2膜孔中的SEM图像（i-m）相应的元素映射图像表面S的均匀分布图二C/SiO2膜的光谱表征以及与多硫化物的相互作用（a）SiO2纳米颗粒，C膜，C/SiO2复合膜和负载S的C/SiO2膜的XRD图谱（b）负载硫的C/SiO2膜正极在放电状态下的S2p光谱（c）N1s光谱的C/SiO2和S负载的负载硫的C/SiO2膜（d）通过视觉辨别SiO2纳米颗粒和LiPS之间的强相互作用（e）SiO2和LiPS之间相互作用的理论DFT模拟计算图三C/SiO2膜正极的电化学性能表征（a）Al箔，C膜和C/SiO2膜电极的CV曲线（b）0.1C时不同正极极的充放电曲线（c）不同正极的倍率性能（d，e）硫载荷为1.5和2.8mgcm-2时不同正极的循环性能;（f）不同阴极的面积容量;（g，h）用两个纽扣电池点亮蓝色或绿色发光二极管的光学照片。

首先，联网硫及其放电产物(Li2S/Li2S2)的导电性差导致活性材料的利用率低和电化学反应部分不可逆。2、枢纽中国在顶刊中出现的总数也是很可观的。

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